当CMOS反相器切换逻辑状态时，由于其充电和放电电流而消耗功率。了解如何在LTspice中模拟这些电流。本系列的第一篇文章解释了CMOS反相器中两大类功耗：动态，当反相器从一种逻辑状态变为另一种时发生。静态，由稳态运行期间流动的泄漏电流引起。我们不再进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍SPICE仿真，以帮助您更彻底地了解逆变器的不一样的动态功耗。本文关注的是开关功率——当输出电压变化时，由于电容充电和放电而消耗的功率。LTspice逆变器的实现图1显示了我们将要使用的基本LTspice逆变器

  本文解释了CMOS反相器电路中的动态和静态功耗。为集成电路提供基本功能的CMOS反相器的发展是技术史上的一个转折点。这种逻辑电路突出了使CMOS很适合高密度、高性能数字系统的电气特性。CMOS的一个优点是它的效率。CMOS逻辑只有在改变状态时才需要电流——简单地保持逻辑高或逻辑低电压的CMOS电路消耗的功率非常小。一般来说，低功耗是一个理想的功能，当你试图将尽可能多的晶体管功能封装在一个小空间中时，这尤其有益。正如计算机CPU爱好者提醒我们的那样，充分去除集成电路中的热量可能很困难。假如没有CMOS反相

  Teledyne Technologies[纽交所代码：TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列，推出Flash 2K LSA，该产品专门适用于需要用大沙姆角（LSA）的激光轮廓应用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K传感器的衍生产品，适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用，其角度响应在30°角度下为四倍以上，在

  问题引入在工作中，会遇到OC门与OD门的称谓。而感性的认识一般为：OD门是采用MOS管搭建的电路，压（电压）控元器件。OC门是采用晶体管搭建的电路，流（电流）控元器件。而OD门的功率损耗一般是小于OC门，为什么？电平TTL电平：输出电平：高电平Uoh =2.4v 低电平Uol = 0.4v输入电平：高电平Uih = 2.0v 低电平 Uil = 0.8vCMOS电平：输出电平：高电平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND输入电平：高电平Uih = 0.7*VCC U

  用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异，实现在线检测，大幅度的提升了检测效率，同时对产品做全检，检测结果更为客观、更准确。无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋，在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么，相机厂商该怎么样应对这些需求提出的挑战呢？Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合，并具备：色彩校正矩阵，用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现；高质量图像，卓越的灵敏度和动态范围，能够较大限度提升图像对比度；灵活多变的自定义触发设置，准确触发

  在低频下工作的普通电路与针对RF频率设计的电路之间的关键不同之处在于它们的电气尺寸。RF设计可采用多种波长的尺寸，导致电压和电流的大小和相位随元件的物理尺寸而变化。这为RF电路的设计和分析提供了一些基础的核心原理特性。基本概念和术语假设以任意负载端接传输线路（例如同轴电缆或微带线），并定义波量a和b，如图1所示。图1.以单端口负载端接匹配信号源的传输线路。这些波量是入射到该负载并从该负载反射的电压波的复振幅。我们现在能够正常的使用这些量来定义电压反射系数Γ，它描述了反射波的复振幅与入射波复振幅的比值：反射系数也可以

  罗德与施瓦茨与索尼半导体以色列（Sony）合作，达成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能验证的行业里程碑

  罗德与施瓦茨与索尼半导体以色列（Sony）合作，达成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能验证的行业首次里程碑。他们还成功验证了基于PCT的测试用例。两项工作都有助于NTN NB-IoT技术的市场就绪。在2024年巴塞罗那世界移动通信大会上，罗德与施瓦茨将在其展台上展示与Sony的Altair NTN Release 17 IoT设备一起进行NTN NB-IoT测试的实时演示。与Sony的合作中，罗德与施瓦茨成功验证了Sony的Altair设备的NTN NB-IoT功能。使用罗德与施瓦

  用机器视觉代替人眼来判别颜色之间的差异，实现在线检测，大幅度的提升了检测效率，同时对产品做全检，检测结果更为客观、更准确。问：无论是分捡水果和蔬菜还是检查运动鞋，在保证可靠性的前提下高速捕获准确的色彩和丰富的细节都要求相机具备某些特征。那么，相机厂商该怎么样应对这些需求提出的挑战呢？答：Blackfly S和Oryx将新的CMOS传感器及高级色彩算法完美结合，并具备：•色彩校正矩阵，用于实现在任一照明条件下的精确色彩再现•高质量图像，卓越的灵敏度和动态范围，能够较大限度提升图像对比度•

  受到威胁的不是摩尔定律本身，而是它所代表的促进经济稳步的增长、科学进步和可持续创新的能力。

  就在几个月之前，一则消息被各大媒体平台报道：2023年7月3日，为维护国家安全和利益，中国有关部门发布了重要的公告，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。至此有不少不关注该领域的读者突然意识到，不知道从何时开始，我国的镓和锗已经悄悄成为了世界最大的出口国。根据一份中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告数据显示，目前镓的世界总储量约 23 万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的 80%-85%，而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物，砷化镓、氮

  1月8日消息，据报道，日本熊本放送消息，台积电日本熊本新厂建筑工程在上个月末已完成，预定年内投产，目前处于设备移入进机阶段。另外，该厂开幕式预计在2月24日举行。公开资料显示，台积电日本子公司主要股东包括持股71%的台积电、持股近20%的索尼，以及持股约10%的日本电装（DENSO），熊本第一工厂计划生产12/16nm和22/28nm这类成熟制程的半导体，初期多数产能为索尼代工 CMOS 图像传感器中采用的数字图像处理器（ISP），其余则为电装代工车用电子微控制器 MCU，电装可取得约每月1万片产能。台积

  『这个知识不太冷』系列，旨在帮助小伙伴们唤醒知识的记忆，将挑选一部分Qorvo划重点的知识点，结合产业现状解读，以此温故知新、查漏补缺。在过去十年中，移动无线数据迅速增加，使得运营商愈加迫切地需要新频段和新技术，以使用户得到满足对无线数据容量的需求。这种需求不仅推动了无线技术的发展，也增加了对增强型射频(RF)滤波器技术的需求，以帮助减少系统干扰，扩大RF覆盖范围，增强接收器性能，并提升共存特性。本篇内容将介绍RF滤波器的工作原理，以及如今的应用中使用的各种技术版本。首先介绍关于滤波器的一些基本实情，以及它们带

  IT之家12 月 19 日消息，射频芯片制造商美国威讯联合半导体有限公司（Qorvo）宣布，与立讯精密建立战略合作伙伴关系并达成最终协议，向后者出售位于北京和山东德州的组装和测试工厂，预计明年上半年完成交易。据IT之家了解，交易完成后，立讯精密将接管上述工厂的运营和资产，包括物业、厂房、设备与现有员工。威讯联合半导体将保留在中国的销售、工程和客户支持员工，继续为客户提供服务。立讯精密将根据新签订的长期供应协议为威讯联合半导体组装和测试产品。威讯联合半导体首席财务官格兰特・布朗（Grant Br

  移动互联时代，在电子半导体产业周期由谷底向上走阶段，有 3~4 类芯片会冲在前面，呈现出明显的增长势头，存储器是典型代表，还有一种芯片也很抢眼，那就是 CIS（CMOS 图像传感器），它在 2019~2020 年那一波产业快速地增长过程中就扮演了重要角色。如今，2024 年半导体业即将复苏，CIS 再一次冲在了前面。CIS 有三大应用领域：手机、安防和汽车。当然，CIS 在工业和其它消费类电子科技类产品上也有应用。近日，全球 CIS 市场排名第二的三星电子发出通知，将大幅调升 2024 年第一季度 CIS 产品的

  英特尔展示 3D 堆叠 CMOS 晶体管技术：在 60nm 栅距下实现 CFET

  IT之家 12 月 10 日消息，由于当下摩尔定律放缓，堆叠晶体管概念重获关注，IMEC （比利时微电子研究中心）于 2018 年提出了堆叠互补晶体管的微缩版 CFET 技术（IT之家注：即垂直堆叠互补场效应晶体管技术，业界认为 CFET 将取代全栅极 GAA 晶体管技术），英特尔和台积电也都进行了跟进。在今年的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM 2023）上，英特尔展示了多项技术突破，并强调了摩尔定律的延续和演变。首先，英特尔展示了其中 3D 堆叠 CMOS（互补金属氧化物半导体）晶体管方面取得的突