【48812】武汉昊衡科技：插损、回损丈量办法与原理

  武汉昊衡科技向咱们展现了运用插回损仪和背向散射法来丈量插损、回损数据的几种办法及其原理。

  回损丈量是比照无被测件（DUT）接入时入射光功率和衔接DUT后反射光功率，核算取得

  插回损仪丈量需屡次插拔，回损丈量一般要环绕光纤，消除光纤尾端反射，扫除外界杂散光搅扰。光纤接头清洁和衔接问题对丈量成果影响较大。

  背向散射法是经过测验光纤中反向瑞利散射光信号来取得指定点损耗。OTDR（光时域反射）和OFDR（光频域反射）技能都可取得时域散布曲线，完成回损插损丈量。

  背向散射法是指定被测件DUT前一点的光功率作为丈量RL的入射光功率，从而取得RL值。时域曲线包括光纤沿线损耗散布，插损值可经过DUT前后回损值核算得到，公式为：IL=(RL1-RL2)/2。以丈量一根光纤跳线为例，在中心方位曲折，丈量成果如下：

  RL丈量需挑选积分区域，取得区域内光路上所有点的反射光功率，这一点和回损丈量界说光纤长度相似。但背向散射法无需环绕光纤，单次衔接、一次丈量就能够完成全链路散布成果，能够剖析链路中恣意光纤段和光器材插回损。

  如图2所示，光学链路丈量，成果显现硅光芯片插损为4.38dB，其他器材剖析办法相似。

  假定DUT前后丈量方位为1、2，其对应入射光功率分别为P1、P2，经过散射系数转化，对应反射光功率分别为：Pr1=P1*a1、Pr2=P2*a2。

  同一种光纤不同方位散射系数相同，借此能够推导出插损、回损的联系，即IL=(RL1-RL2)/2。

  上述算式建立条件，是待测件前后两头光纤类型相同。如若不同，插损丈量成果或许会呈现负数，如图4所示，聚酰亚胺耐曲折光纤比一般光纤背向瑞利散射信号强。

  依照上面了解，背向散射法凭借回损丈量插损，可能会误解回损大插损必定也大，实在的状况并非肯定。这是由于光纤中有两种反射：菲涅尔反射和瑞利散射。

  当光从一种介质进入另一种折射率不同的介质，在界面发生反射，这是菲涅尔反射。

  两者首要差别是瑞利散射存在于整个光路中，而菲涅尔反射只发生在反射方位处。比方光纤衔接方位是菲涅尔反射，发生原因是光纤与空气存在空隙或端面呈现污点。以FC/PC光纤衔接为例，其回损-55.63dB，回损大而插损小。

  背向散射法相对传统回损丈量的明显长处，是能够区别菲涅尔反射和瑞利散射。剖析菲涅尔反射事情，回损和插损没有必定联系。