【48812】PN二极管和PN结二极管的类型
区，中心有一个结。半导体资料的性质从p型变为n型的结区或过渡区一般十分薄，一般为10-6至 10-4厘米宽取决于浓缩办法。
图1（a）和（b）别离显现了根本成长结二极管的三维和二维视图。图1（c）给出了一切类型通用的pn二极管的电路符号。成长结二极管是经过首先从极纯（杂质小于
1/109）熔融的Ge杂质（或Si），不久后经过很多参加p型的熔融Ge杂质，将杂质从n型变为p型。
因而，构成了一个接连的晶体，该晶体部分是p型的，中心有一个结。这样构成的大晶体被切割成很多小薄片，每个薄片包括一个p区和一个n区，中心有一个结。每个这样的部分都经过抛光和蚀刻以去除外表杂质，然后在棒材的两头堆积非整流（欧姆）电极。最终，将电线焊接到这些端电极上。然后对整个组件进行蚀刻并掩盖防潮润滑脂，安装在适宜的机械结构中，然后密封在一个小玻璃信封中，引线穿过脚。不通明涂料一般涂在玻璃外壳的外侧，以扫除入射光。
这是经过将一小点或一小块铟（三价）放在n型Ge的薄晶圆上构成的，如图2（a）所示，然后在500的高温下烘烤该组件一小段时刻0C.该温度高于铟的熔点，但低于Ge的熔点。然后因为加热，铟点溶解其下方的锗并构成a-饱和溶液。冷却后，饱和溶液以满足的铟含量重结晶，从而将重结晶区域的杂质从n型变为p型。因而，该p型Ge与晶圆的主n型Ge构成pn结。衔接引线衔接到铟托盘上，构成非整流触点。经过焊接一条或一圈镀金线，进一步与锗晶圆进行非整流触摸。图2（b）给出了二极管的截面，而图2（c）给出了三维视图。
然后对整个组件进行蚀刻，掩盖防潮油脂，安装在适宜的机械结构中，并密封在一个小玻璃信封中，引线穿过脚。然后将不通明的油漆涂在玻璃灯泡上以防止入射光。
晶圆的整个外表上热成长。这个SiO2然后对层进行光蚀刻以构成掩模，并答应p型分散经过SiO中的开口2.为了这种分散意图，将硅晶圆置于1000的熔炉中0C
在高硼浓度的气态气氛中。晶圆外表发生尖利的杂质浓度梯度，因而硼分散到硅晶圆中。
在这种高温下（10000C），几个硅原子从它们的晶格位点移出，为杂质原子移动留下空位。再次，一层SiO2在整个晶圆上热成长，光蚀刻和铝触摸到p区。晶圆底部的金属层构成n电极。图3显现了分散PN结二极管的物理结构。
外延成长是指资料在基底（基）资料上的成长，使得如此成长的资料构成坚持相同取向的衬底晶体结构的连续。在外延规划器材中，在同一资料的重掺杂衬底上成长了十分薄的（单晶）高杂质硅（或Ge）层。然后，这个完好的结构构成了
图4显现了外延平面二极管的根本结构。碳化硅2在顶面热成长层，光蚀刻，然后与p区域进行铝触摸。基板底部的金属层构成衔接铅的n电极。该技能大范围的使用在的制作。
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