国博电子2022年年度董事会经营评述
2022年，面对复杂严峻的外部环境，公司始终聚焦主营业务发展和核心技术创新，慢慢地增加公司的研发能力、提升产品的质量以及提升生产效率，持续推进公司发展。报告期内，公司营业收入346,051.11万元，同比增长37.93%；总利润55,501.87万元，同比增长42.15%；净利润52,058.78万元，同比增长41.40%。详细情况如下：
T/R组件和射频模块：T/R组件领域，国博电子作为国防重点工程的重要配套单位，持续为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品，顺利完成各类重点型号T/R组件的生产交付，产品营销售卖收入实现较快增长。同时，公司面向宽带、高频应用积极推进新一代产品研制，积极开展系列化功率放大器、低噪声放大器、多功能芯片等有源芯片与IPD无源集成芯片的自主研制工作，并批量工程化应用于各类宽带、高频、大功率有源相控阵T/R组件产品，研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。射频模块领域，公司应用于4G、5G基站的GaN射频模块产品生产能力提升，出售的收益实现稳定增长。
射频芯片：2022年，受多重外部因素影响，国内5G基站市场整体增速放缓，公司通过拓展产品领域，加强新产品研发和新客户拓展。新产品方面，公司研发的应用于5G基站新一代智能天线的高线性控制器件业务增长迅速，保持了射频芯片业务的稳定增长。新业务方面，公司积极拓展新客户和新业务领域，加大通信终端、车载射频产品的研发投入和产品推广，部分产品已经通过客户认证并取得批量订单。
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品覆盖防务与民用领域，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平。
防务领域，国博电子是参与国防重点工程的重要单位，长期为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品，确保了以T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。国博电子研制了数百款T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外，国博电子产品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。
民用领域，国博电子主要产品的性能指标已处于国际先进水平。国博电子作为基站射频器件核心供应商，在国内主流移动通信设备供应商的供应链平台上与国际领先企业，如Skyworks、Qorvo、住友等同台竞争，系列产品在2、3、4、5代移动通信的基站中得到了广泛应用。依托于雄厚的研发实力，国博电子承担了发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向5G通信的射频前端关键器件及芯片”等国家项目，以及江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、江苏省科学技术厅“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化项目”等省级项目，核心技术及产品在业内具备竞争优势。
国博电子积极布局以GaN为代表的第三代化合物半导体领域。基于GaN射频芯片的各类有源相控阵T/R组件产品在机载、弹载等领域中取得广泛应用，GaN射频模块主要应用于4G、5G移动通信基站中。
国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。在高密度集成领域，公司基于设计、工艺和测试三大平台，开发了T/R组件、射频模块等产品；在射频芯片领域，公司基于核心技术开发了射频放大类芯片、射频控制类芯片等产品。
T/R组件和射频模块业务与射频芯片业务相辅相成，相互协同。射频芯片是T/R组件、射频模块的重要组成部分。T/R组件与射频模块在设计、制造过程中一方面要考虑射频芯片的性能，另一方面需要依靠公司先进高密度集成工艺，热、力、电、磁多物理场协同设计技术，实现多模、多场高精度高效仿真模拟技术在充分协调发挥各射频芯片最佳性能的基础上，形成高可靠、高集成、小型化的T/R组件与射频模块，实现组件和模块产品的收发、放大、移相、衰减等功能。
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，拥有完整的研发、采购、生产、销售及服务体系。
T/R组件和射频模块领域，国博电子主要负责T/R组件和射频模块的设计、制造以及测试。
国博电子接到客户产品需求后，与客户进行沟通，确定产品和服务的要求，组织产品输入策划评审，开展设计与开发策划。针对产品形态和要求，设计人员对T/R组件、射频模块从热学、力学、电学、结构设计等角度将技术协议参数进行分解，开展方案设计评审，并形成原理方案图、结构设计图、电路版图、装配图或封装文件、元器件清单BOM表和测试规范。产品通过验证后交由生产部门进行批量装配和筛选测试，部分产品通过外部厂商按照要求进行封装测试，最终的成品经检验合格后入库。
射频芯片领域，国博电子主要将研发力量集中投入到芯片设计和质量把控环节，产品的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。对于该部分产品，国博电子在完成芯片设计和版图绘制后，将版图交由晶圆制造商按照版图生产出对应晶圆。晶圆加工完成后，对于需要封装、测试的产品，国博电子负责封装文件和测试规范的制订，封装厂按照文件进行产品的封装、测试。对于最终的成品，国博电子进行抽样评价，经抽评合格后入库。对于不需要封装的产品，国博电子收到晶圆制造商芯片后进行测试和抽样评价，经抽评合格后入库。
国博电子与主要客户建立了稳定的合作关系，积极跟踪客户需求，依托自身的技术实力研发符合客户需求的产品，通过研发带动销售。公司建立了较为完善的营销体系。
国博电子主要产品为有源相控阵T/R组件、基站射频集成电路等。其中，有源相控阵T/R组件主要用于防务类有源相控阵雷达领域，未来随着5G垂直应用发展，也将进一步应用于民用有源相控阵雷达领域；射频集成电路属于模拟集成电路，主要用于移动通信基站等射频通信领域。
精确制导武器是当前和未来战争的主要打击力量。现代实战数据表明，精确制导武器已成为高技术战争的主要杀伤工具，并扮演着越来越重要的角色。随着我国国防需求的日益增加，对海陆空军事装备的数量及武器数量的需求也在不断增加。其中，导弹依靠其信息化技术可以实现对目标的精确打击，已成为各种军事装备的核心配套武器。
导引头作为精确制导武器的“眼睛”，可有效地把导弹和目标关联起来并输出它们之间的相对运动信息。导引头决定整个精确制导武器更新换代的方向，是价值量占比最高的部分。按照探测系统的不同，导引头主要可分为光学制导和雷达制导两大类。雷达导引头利用不同物体对电磁波的反射或辐射能力的差异来发现目标和测定目标的位置及速度，探测距离远，不受天时和气象条件限制，可全天候工作。雷达导引头可分为主动雷达导引头（本身带有辐射源）、半主动雷达导引头（设置于弹体外的专用照射设备向目标辐射能量）和被动雷达导引头（依赖于目标的辐射）。雷达导引头的体制在不断迭代，有源相控阵导引头凭借灵敏度较高、信号处理能力较强、可靠性较高等特点，逐步替代无源相控阵导引头，成为弹载武器的倍增器。
自2015年改革工作全面展开后，我军自上而下进行了全方位的改革，以适应新时代的国防需求。从领导指挥体制到规模结构和力量编成，相比以往均发生了较大改变，合成化作战部队以及战区各军种联战联训等新的作战单位和作战形式要真正发挥出效能必须通过实战演练进行磨合。预计未来，我国将有更多的军事装备陆续交付、服役，依照满足各类装备对武器的需求，导弹需求量也将进一步增加。未来日常训练和实弹演习等弹药常规消耗将进一步加大。
相控阵雷达广泛运用于机载雷达和舰载雷达，具有扫描时间快、抗干扰能力强、可靠性高等特点。现代军用雷达中最为广泛应用的相控阵雷达已有机载火控雷达、预警机雷达、陆基防空雷达等多款类型研制成功，有望在数年内大规模列装。
有源相控阵雷达将逐渐替代机械扫描雷达、无源相控阵雷达成为主流，并逐步替代单一功能雷达，向多功能相控阵雷达方向发展。相较于机械扫描雷达，有源相控阵雷达具有扫描速度快、多功能、多目标跟踪、可靠性高、抗干扰能力强等优势。相较于无源相控阵雷达，有源相控阵雷达具有探测距离明显增大、效率及可靠性更高、截获概率低等优势。
有源相控阵雷达可以应用在各种机型的飞机、舰船上，因此应用面非常广泛。根据《全球军用雷达市场2015-2025》报告，2025年机载雷达、舰载雷达市场将占据全球军用雷达市场的35.6%和17.2%，二者合计占全球军用雷达市场的50%以上。
卫星通信是指利用人造地球卫星作为中继站转发或发射无线电波，实现两个或多个地球站之间或地球站与航天器之间通信的一种通信手段。卫星通信由于覆盖面大、部署快，不受地面情况影响，因此一直被视为特殊地理位置和特殊场合的唯一通信手段。随着以高频段（Ku、Ka等）、大容量、高通量为特点的宽带通信技术的成熟，通过通信卫星实现互联网接入已经成为可能。受有源相控阵雷达技术体制的发展，在卫星通信领域中无论是空间段还是用户终端，都将有大量的产品采用相控阵模式，在空间段主要是利用相控阵天线的多波束、敏捷波束能力，在用户终端则是看中其低轮廓、灵活波束的处理能力等，上述技术都决定了有源相控阵体制在卫通通信中的广泛应用，同样也带来了大量的T/R组件需求。
赛迪智库发布的《中国卫星（600118）通信产业发展白皮书》显示，2025年我国卫星通信设备行业产值将有望超过500亿元，相关设备制造市场空间巨大。小卫星产业迅速发展带动卫星制造市场，据通信产业报预计，2025年全球小卫星制造和发射市场规模将超过200亿美元，产业规模增长迅速，经济效益可观。在军用卫星通信领域，根据MarketandMarkets的报告，全球军用通信市场规模预计将从2018年的315亿美元增长至2023年的377亿美元，年均复合增长率为3.6%，其中，卫星通信领域的增长或为主要贡献之一。StrategyAnaytics预测，到2026年，卫星通信系统市场规模（包括卫星有效载荷和卫星终端）将占军用通信市场规模的37.2％，市场价值将达137亿美元。
2017年11月，工信部规划明确了厘米波的3.3-3.4GHz（原则上限室内使用）、3.4-3.6GHz和4.8GHz-5.0GHz频段作为5G系统的工作频段，我国成为国际上率先发布5G系统在中频段内频率使用规划的国家。随着技术的发展，工信部陆续将700MHz、2.6GHz频段用于5G工作频段，并已着手开展5G毫米波频段的规划工作，推动5G高、中、低频段协同发展。相较于4G，具备高频率微波波段的5G技术不仅可以有效缓解目前拥挤的带宽波段，并且能够大幅提升传输速率和传输质量，使得连续广域覆盖、热点高容量、低时延高可靠和低功耗大连接等典型技术场景得以实现。5G技术的大规模应用将为移动通信基站市场带来增长。
《“十四五”信息通信行业发展规划》提出要“在已经建成全球规模最大的光纤和移动宽带网络基础上，‘十四五’时期力争建成全球规模最大的5G独立组网网络，力争每万人拥有5G基站数达到26个，实现城市和乡镇全面覆盖、行政村基本覆盖、重点应用场景深度覆盖，其中行政村5G通达率预计达到80%”。根据工信部公布的数据，我国5G、千兆光网、物联网等新型基础设施建设稳步推进，网络连接终端用户规模不断扩大，截至2023年2月末，我国5G基站总数达238.4万个，比上年末净增7.21万个，占移动基站总数的21.9%，占比较上年末提升0.6个百分点。
目前，全球射频集成电路市场前五大厂商均为国外厂商。近年来，国际贸易摩擦频现，以华为、中兴为代表的中国企业多次受到国外限制，且国外对高性能化合物半导体器件已实行对华禁运，进口替代已成为大势所趋。进口替代的趋势一定程度上推动了公司相关产品的销售和业绩增长。
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品主要包括有源相控阵T/R组件、基站射频集成电路等，覆盖防务与民用领域，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路相关产品的领先企业。有源相控阵T/R组件主要应用于精确制导、雷达探测领域，基站射频集成电路主要应用于移动通信基站领域，并逐步拓展到移动通信终端和无线局域网领域。
防务领域，国博电子是参与国防重点工程的重要单位，长期为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品，确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。国博电子研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外，国博电子产品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。
民用领域，国博电子主要产品的性能指标已处于国际先进水平。国博电子作为基站射频器件核心供应商，基站射频集成电路技术处于国内领先、国际先进水平，在国内主流移动通信设备制造商的供应链平台上与国际领先企业，如Skyworks、Qorvo、住友等同台竞争，系列产品在2、3、4、5代移动通信的基站中得到了广泛应用。
3.报告期内新技术、新产业（300832）、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
有源相控阵体制具有抗干扰能力强、高可靠、多模式等领先优势，这使得基于有源相控阵体制的无线电子信息系统逐步成为了当前及未来先进无线系统的主流发展方向，相关技术体系不断趋于成熟化，广泛应用于精确制导、雷达探测与移动通信领域，T/R组件作为其必需的核心部件将直接影响相控阵系统的综合性能，因此，T/R组件类产品也必将成为未来有源相控阵系统的标准部件，市场潜力巨大。
常规T/R组件产品以“砖块式”为主，其大多采用金属封装的形式，是当前市场的主流产品形态。随着有源相控阵技术在各类无线通信、探测制导等先进技术的发展，无线电子信息系统的功能越发复杂，单位载荷的功能密度需求大幅提高，多功能、多模式、高密度集成化逐渐成为了新一代先进系统的发展方向，这也将给小型化与轻量化T/R组件带来巨大需求，微波毫米波异构集成、三维堆叠、封装型天线、片上天线等新型高密度集成技术将进一步推动有源相控阵技术发展。
根据中国半导体行业协会统计，2021年中国集成电路产业销售额首次突破万亿元，达到1.05万亿元，同比增长18.2%。与此同时，我国集成电路严重依赖进口，2021年中国进口集成电路6354.8亿块，同比增长16.9%；进口金额4325.5亿美元，同比增长23.6%；集成电路出口3107亿块，同比增长19.6%，出口金额1537.9亿美元，同比增长31.9%。
在射频前端领域，受到5G网络商业化建设的影响，自2020年起，全球射频前端市场将迎来快速增长。从市场竞争格局来看，目前射频集成电路市场主要被国外厂商垄断，马太效应明显。根据YoeDeveopment2019年数据，全球射频芯片市场前五大厂商分别为Murata、Skyworks、Broadcom、Qorvo和Quacomm，均为国外厂商，五家厂商合计占据了射频前端市场份额的79%。而国频芯片厂商由于起步较晚，相较于国际领先企业在技术积累、产业环境、人才培养、创新能力等方面仍有明显滞后。
近年来，国际贸易摩擦频现，以华为、中兴为代表的中国企业多次受到国外限制，且国外对高性能化合物半导体器件已实行对华禁运，一系列的管制事件使得国内对集成电路自主产权空前重视，进口替代迫在眉睫。
由于国际贸易摩擦加剧，射频集成电路产业链整体波动加大，细分市场的供需关系转换加快，整体行业库存压力增强，公司将加强对市场发展趋势的研判，在确保发展的同时加强风险管控。
在移动通信基站方面，5G技术的运用使得单个宏基站的覆盖范围变小、信号穿透力变弱，因此，微基站的大规模应用成为必然趋势。相比于室外宏基站，微基站的体积较小，一般不超过10L，多以抱杆、挂墙、吸顶等方式安装。受体积和载体限制，微基站对集成电路集成化程度的要求也更高。
微基站可分为分布式微基站和一体化微基站。分布式微基站集成了RRU和天线（天线也可外接），BBU则采用独立拉远的方式。而一体化微基站集成了BBU、RRU和天线。无论是分布式还是一体式，微基站都越来越倾向于将射频模块单独封装成一个或几个模组，相应的集成电路器件，如功率放大器、开关、天线等，集成度也越来越高。
伴随着5G网络商业化部署不断推进，5G标准也在不断演进。目前，主要支持eMBB大带宽业务场景标准的R15标准已全部完成；支持更多高可靠低时延垂直应用的R16标准也已经冻结，可更好的支撑5G在工业互联网、V2X车路协同等场景的应用；同时，支持更高速率要求的mMTC解决方案、精准定位等使能垂直行业的能力的R17标准也在不断增强和完善。
在5G在不断演进完善的同时，6G的研究探索也已广泛开展。6G将包含多样化的接入方式，如移动蜂窝、卫星通信、无人机通信、水声通信、光通信等；将构建跨地域、跨空域、跨海域的空天海地一体化网络，实现全球无缝覆盖；6G无论是传输速率、端到端时延、可靠性、连接数密度频谱效率、网络能效等方面都会有大的提升，从而满足各种垂直行业多样化的网络需求。目前，我国已经搭建“产学研用”工作机制，进一步加强国际合作和交流，加大核心技术攻关，推进6G发展。
更大的连接数密度、更大的传输带宽、更低的端到端时延、更高的可靠性和确定性以及更智能化的网络特性，是移动通信网络与垂直行业融合应用得以快速推广和长远发展的必然需要。5G的演进完善和向6G的跨越提出了广泛的基站、终端、新型通信传感节点的概念需求，产品的形态也将超越传统，新的无线频段、新的空口波形、新型网络架构层出不穷。面向不同场景应用的通信节点对于集成电路提出了迥异的需求，在集成度、功耗、性能等方面的需求各有侧重，为射频集成电路、模拟、数字集成电路厂商提供了广泛的机会。
在T/R组件领域，国博电子是参与国防重点工程的重要单位，长期为陆、海、空、天等各型装备配套大量关键产品，确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障。国博电子具备W波段及以下频段的T/R组件产品设计平台、高密度高精度三维集成工艺平台以及全自动通用测试平台等平台化能力，在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计、多温度梯度的微纳尺度集成工艺、可靠性试验分析测试等技术领域积累了关键核心技术，研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外，国博电子产品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。在射频模块领域，国博电子根据客户需求，开发出大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度的产品，产品关键技术指标处于国内领先、国际先进水平。
国博电子面向国防重点工程配套需求，开展系列化功率放大器、低噪声放大器、多功能芯片等有源芯片与IPD无源集成芯片的自主研制工作，并批量工程化应用于各类宽带、高频、大功率有源相控阵T/R组件产品，研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到普遍的工程应用。在新技术方面，国博公司采用异构集成技术，已完成W波段超低剖面有源相控阵列微系统样件的研制，为未来包含太赫兹在内的超高频产品开拓打下基础。
在射频模块领域，国博电子开发的GaN射频模块完整产品系列，主要应用于4G、5G基站设备中。GaN射频模块为移动通信基站中的核心产品，具有较高的技术壁垒，国博电子是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。推出的新一代GaN射频模块在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。
国博电子在射频芯片领域掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术，国博电子形成了系列化的化合物半导体产品。国博电子射频芯片主要应用于移动通信基站等领域，产品技术水平属于国内领先、国际先进。
在射频放大类芯片领域，国博电子射频放大类主要产品处于国际先进水平。在低噪声放大器方面，针对5G基站应用，国博电子设计了大动态、高线性的低噪声产品，其噪声系数、增益、OIP3、功耗等主要性能指标均已处于国际先进水平。在功率放大器方面，针对移动通信基站应用，国博电子设计了一系列不同输出功率量级、频段及带宽的高线性HBT放大器，其增益、饱和功率、线性功率等主要性能指标也已处于国际先进水平。目前，这两类产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中。
在射频控制类芯片领域，国博电子开发的系列射频开关、数控衰减器，具有高集成度、高成品率、高性能等特点，主要电性能指标处于国际先进水平；开发的应用于5G基站的新一代智能天线的高线性控制器件，产品性能达到国际先进水平。在基站领域，目前公司系列射频开关、数控衰减器产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中；在终端领域，开关、天线调谐器产品量产，多个射频开关被客户引入并批量交付，DiFEM、LFEM产品相关芯片在有序推进，DiFEM相关芯片小规模量产。
报告期内，公司申请发明专利17项，申请实用新型专利3项，申请集成电路设计布图专有权22项；取得发明专利授权3项，取得实用新型专利授权2项，集成电路设计布图专有权6项。截至报告期末，公司拥有知识产权共计131项，其中发明专利40项。
研发投入较上年同期同比增长41.38%，主要系报告期内，公司为保持综合竞争实力，加快推进研发项目实施，研发人员薪酬及研发用材料投入增加所致。
国博电子具备W波段及以下频段的T/R组件产品设计平台、高密度高精度三维集成工艺平台以及全自动通用测试平台等平台化能力，在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计、多温度梯度的微纳尺度集成工艺、可靠性试验分析测试等技术领域积累了关键核心技术，研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外，国博电子产品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。在射频模块领域，国博电子根据客户需求，开发出大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度的产品，产品关键技术指标处于国内领先、国际先进水平。
具备面向防务重点工程配套需的系列化功率放大器、低噪声放大器、多功能芯片等有源芯片与IPD无源集成芯片的自主研制能力，并批量工程化应用于各类宽带、高频、大功率有源相控阵T/R组件产品，研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。在新技术方面，国博公司异构集成技术产品化能力逐步提升，多款小型化异构集成产品已进入小批量工程化试制应用阶段，同时已完成W波段超低剖面有源相控阵列微系统样件的研制，为未来包含太赫兹在内的超高频产品开拓打下基础。
在射频模块领域，国博电子开发的GaN射频模块完整产品系列，主要应用于4G、5G基站设备中。GaN射频模块为移动通信基站中的核心产品，具有较高的技术壁垒，国博电子是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。推出的新一代GaN射频模块在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。
国博电子在射频芯片领域掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术，国博电子形成了系列化的化合物半导体产品。国博电子射频芯片主要应用于移动通信基站等领域，产品技术水平属于国内领先、国际先进。
在射频放大类芯片领域，国博电子射频放大类主要产品处于国际先进水平。在低噪声放大器方面，针对5G基站应用，国博电子设计了大动态、高线性的低噪声产品，其噪声系数、增益、OIP3、功耗等主要性能指标均已处于国际先进水平；针对微波通信应用，国博电子也开发了系列化微波低噪声放大器产品。在功率放大器方面，针对移动通信基站应用，国博电子设计了一系列不同输出功率量级、频段及带宽的高线性HBT放大器，其增益、饱和功率、线性功率等主要性能指标也已处于国际先进水平。目前，这两类产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中。
在射频控制类芯片领域，国博电子开发的系列射频开关、数控衰减器，具有高集成度、高成品率、高性能等特点，主要电性能指标处于国际先进水平；开发的应用于5G基站的新一代智能天线的高线性控制器件，产品性能达到国际先进水平。在基站领域，目前公司系列射频开关、数控衰减器产品广泛应用于4G、5G移动通信基站中；在终端领域，开关、天线调谐器产品量产，多个射频开关被客户引入并批量交付，DiFEM、LFEM产品相关芯片在有序推进，DiFEM相关芯片小规模量产。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品主要应用于相控阵雷达等防务领域以及通信基站等民用领域，其技术和产品具有更新迭代较快等特点。公司在研发过程中需要投入大量的人力及资金，如果未来公司不能继续保持对研发支出的高投入、抓住技术发展趋势及下游需求的变化、不断吸引专业领域的优秀人才，公司可能会面临技术滞后，对行业发展趋势及下游客户需求的判断发生偏差的情况，导致新产品偏离市场需求，进而影响公司未来发展的持续性和稳定性。
经过多年技术创新与经验积累，公司在有源相控阵T/R组件、射频集成电路等核心技术方面取得突破，上述核心技术构成了公司的核心竞争力。随着市场的变化，存在因核心技术人员流失或工作失误，导致核心技术泄露的风险，若同行业竞争企业获悉公司核心技术，将对公司的生产经营和发展产生不利影响。
公司的核心技术人员是公司持续保持技术优势、市场竞争力和提升发展潜力的保障。有源相控阵T/R组件、射频集成电路行业市场需求不断增长，对技术人才需求较高，随着行业竞争的日益激烈，企业与地区之间高端人才竞争也逐渐加剧，公司现有人才也存在流失的风险。如果公司不能为核心技术人员提供优秀的研发条件、具有前景的发展平台及有竞争力的薪酬，可能面临核心技术人员流失的风险，进而对公司的持续经营能力产生不利影响。
公司的有源相控阵T/R组件和射频集成电路产品主要应用于防务和民品两大领域。防务领域对产品的稳定性、安全性要求较高，因此行业进入壁垒较高，行业内竞争者数量较少，但随着国家加快军工电子产业发展的一系列政策的实施，未来更多社会资源进入该领域，市场竞争将更加充分。民品领域关注产品性能与成本，Skyworks、Qorvo、住友等国外企业规模较大，并持续保持了较高的研发投入，在技术等方面领先，公司面临的竞争压力较大。同时，未来随着基带芯片厂商进入射频前端领域，该领域的竞争将更加激烈。上述情况或将加剧公司面临的市场竞争风险，对公司未来经营业绩产生不利影响。
公司有源相控阵T/R组件和射频模块产品主要采取设计+制造+测试的经营模式，射频芯片产品主要采取Fabess模式。芯片的制造、封装测试工序一般由外协厂商负责，外协加工厂商按照公司的设计图纸及具体要求进行部分工序的作业。采用外协加工的模式有利于公司将资源投入到核心工序、核心技术研究和产品研发中去，增强核心竞争力。但是公司存在因外协厂商生产排期导致供应量不足、供应延期或外协工厂生产工艺存在不符合公司要求的潜在风险。此外，晶圆制造为资本及技术密集型产业，其集中度较高是行业普遍现象。报告期内，公司晶圆代工主要委托少数供应商进行，供应商集中度高。如果上述供应商发生不可抗力的突发事件，或因集成电路市场需求旺盛出现产能紧张等因素，晶圆代工产能可能无法满足需求，将对公司经营业绩产生一定的不利影响。
公司生产销售的有源相控阵T/R组件最终用户主要为军方。根据我国现行军品采购管理办法和定价规则，该产品的销售价格由军方价格主管部门审价确定。由于军品审价的周期较长，对于尚未完成审价的产品，公司在符合收入确认条件时按照暂定价确认收入，待价格审定后签订补价协议或取得补价通知单时确认价格差异。由于军方审价周期和最终审定价格均存在不确定性，受此影响，尚未军审定价产品存在未来年度集中确认价差进而对公司盈利构成影响的风险。因此，公司存在因产品未完成军品审价而影响经营业绩的风险。
报告期内，原材料成本是营业成本的主要构成部分。虽然公司经过多年的生产经营已经建立相对完善的供应商管理体系，但如果未来原材料价格出现大幅波动，则可能造成公司经营业绩出现相应波动。
报告期内，公司的客户相对集中，主要为各大军工集团下属科研院所或整机单位、国内主流移动通信设备制造商。如果未来公司主要客户的采购、经营战略发生较大变化，或主要客户资信情况发生重大不利变化，或因公司提供的产品质量问题与客户发生纠纷，或者因技术原因等因素无法满足客户的需求，则公司经营业绩将面临下降或增速放缓的风险。
公司生产依赖于多种原材料，包括各种晶圆、芯片、电子元件等。原材料的及时供应是保证公司稳定生产的必要条件。公司的一些重要基础原材料如晶圆、芯片等上业呈现集中度较高的市场格局，使公司在采购该等原材料时供应商集中度也相对较高。同时，由于国际政治及其他不可抗力等因素，原材料供应可能会出现限制供应、延迟交货或提高价格的情况。如果出现不能及时获得足够的原材料供应或者需高于正常价格获取原材料的情况，公司的正常生产经营可能会受到不利影响。
整机单位T/R组件采购模式包括对外采购和内部配套两种模式。整机厂商通常聚焦于整机的实现，基于专业化分工的角度考虑，采用外购专业化公司T/R组件产品的模式。此外，部分整机厂商存在有源相控阵T/R组件的需求，自身技术体系较为健全，自建了T/R组件生产研制平台，实现了T/R组件的内部配套。如果未来采取对外采购的整机单位变更为内部配套模式，则会对公司T/R组件业务的经营造成影响，进而影响公司整体经营业绩。
公司高度重视产品质量控制，自设立以来未出现重大质量纠纷。公司射频芯片业务主要采用Fabess模式，由于生产周期较长影响，如因产品设计缺陷或第三方生产工艺控制不当导致产品缺陷，将有可能导致大量的产品报废或市场召回，由此给公司经营带来风险。公司有源相控阵T/R组件业务主要客户为各大军工集团下属科研院所或整机单位，对产品质量和可靠性要求较高，尽管公司在生产经营过程中高度重视产品质量控制，仍可能出现质量未达标准的情况，这将对公司的品牌声誉和经营业绩造成不利影响。
国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，技术要求高、生产环节多、生产周期长，同时公司为能够及时满足客户需求，需备有一定的生产库存；另外，公司部分发出商品需待客户签收或验收合格后方能确认收入，上述业务特点决定了公司具有存货余额高的运营特点。如果未来公司产品出现滞销、验收较慢或者大幅降价等情况，可能会导致公司存货积压并给公司带来较大资金压力，并面临存货跌价风险，从而对公司的经营业绩造成不利影响。
公司报告期末经营性应收款项余额较大主要系大型军工客户结算方式导致，大型军工客户一般按照背靠背的方式进行结算，即下游客户回款后向上游供应商进行结算。报告期内，公司经营性应收款项回款良好。但是，公司经营性应收款项金额较大，占总资产比重较高，如果部分客户出现支付困难或者长期拖欠款项，将对公司产生不利影响。
公司于2018年11月通过江苏省高新技术企业复审，取得编号为GR7的《高新技术企业证书》，有效期三年，于2021年11月通过江苏省高新技术企业复审，取得编号为GR0的《高新技术企业证书》，有效期三年，根据《中华人民共和国企业所得税法》及《中华人民共和国企业所得税法实施条例》等相关规定，高新技术企业享受15%的企业所得税优惠税率。上述税收优惠政策对公司的发展、经营业绩起到促进作用。但是未来如果国家相关税收优惠政策发生变化，公司不能继续享受上述优惠政策，将会对公司经营业绩产生不利影响。
由于军方内部审批流程较为复杂，公司T/R组件业务验收及付款周期较长，整机单位为了减小资金压力，一般采取背靠背的方式进行结算，造成公司销售货款结算周期较长。从历史结算进度看，公司T/R组件业务军工集团客户应收账款平均结算周期约为12个月左右，结算方式主要为9个月或12个月期限的商业承兑汇票。从确认收入到商业承兑汇票到期承兑，大约要20-24个月，导致出售的收益需要约20-24个月转化为现金流入公司，体现在现金流量表中销售商品、提供劳务收到的现金科目。与此同时，公司T/R组件业务主要供应商应付账款平均结算周期约为6个月，结算方式主要为3个月期限的商业承兑汇票或银行转账。收款周期较长，而原材料、人工等付款周期较短，导致军工行业经营活动现金流一般较差，面临一定的压力。如果军工业务规模快速增长或下游军工客户货款结算不及时，公司营运资金的周转压力将变大，可能会对公司经营活动现金流量产生不利影响。
公司有源相控阵T/R组件应用于国防领域，其下游市场需求一定程度上受到国防开支的影响。如果未来国防开支发生波动，则会对公司有源相控阵T/R组件的销售收入产生影响。射频集成电路领域具有产品更新换代快等特点，产品结构、收入、毛利率受下游市场需求、产品先进性等多种因素影响。公司射频集成电路产品主要应用于移动通信基站领域，受到宏观经济及5G商用进度的影响，移动通信基站的建设具有周期性波动的特征，下游移动运营商的资本开支波动对上游厂商的经营业绩具有一定影响。近年来，我国5G商用的推进以及国家对集成电路产业政策的支持为公司带来了良好的发展机遇，但若发生5G商用进度延缓、5G建设速度放缓、集成电路的产业政策发生重大不利变化、宏观经济发生剧烈波动等情况将会对公司下游需求，特别是通信基站等民用领域的需求造成冲击，公司的销量、毛利率、经营业绩将因此受到影响。
自2018年8月，美国商务部陆续将中国的高科技企业列入―实体清单，并进一步加强对我国集成电路企业的限制，国博电子亦在实体清单之列。该事项对公司采购美国生产原材料、采购或使用含有美国技术的知识产权和工具等产生一定限制。鉴于国际形势的持续变化和不可预测性，―实体清单影响的长期持续性或公司受到进一步的技术限制措施可能会对公司的日常经营带来负面影响。
公司自设立以来，经营规模不断扩大，资产规模和员工数量也迅速扩张。本次发行后，随着募集资金投资项目的实施，公司的资产规模及员工数量将进一步扩大，公司在资源整合、人员管理、技术开发等方面将面临更大的挑战。如果公司经营团队的决策水平、人才队伍的管理能力和组织结构的完善程度不能适应经营规模的扩张，将面临快速扩张可能带来的管理风险。
公司具有独立、完整的业务体系，能够独立进行经营决策，并且已经建立了包括《关联交易管理制度》在内的完整的内部控制制度，严格规定了重大关联交易的审批程序，保证关联交易定价公允和公司及股东利益，但如果公司内部控制措施不能有效执行，公司关联方有可能通过关联交易对公司及中小股东利益造成影响。
公司在生产过程中会产生废水、废气、固体废弃物等，如果公司的污染物排放不符合国家环保政策规定，将面临被国家有关部门处罚、责令关闭或停产的可能。此外，报告期内公司虽未发生重大安全事故，但不排除未来因设备老化、物品保管及操作不当、自然灾害等原因而造成意外安全事故的可能，从而影响公司生产经营的正常进行。
公司募集资金投资项目为射频芯片和组件产业化项目，募集资金投资项目可行性分析是基于公司的技术基础、当前市场环境以及对射频行业未来发展趋势的预测等因素做出的，公司对募集资金投资项目进行了充分的论证和分析。但本次募集资金投资项目需要一定的建设期和培育期，在此期间内可能会受到国家和产业政策变化、市场环境变化、研发和制造成本上升及其他不可预见因素的影响，使得项目的实际收益低于预期，直接影响公司业务规模及潜在业务收入，从而影响项目的投资回报和公司的预期收益。本次募集资金投资项目达产后，公司的折旧摊销费用也会有较大幅度增加，按照公司的折旧政策，新生产线每年平均将新增折旧摊销费用金额约为8,177.46万元。如果市场环境发生重大不利变化导致公司营业收入没有保持相应增长，则公司存在因固定资产折旧大幅增加导致的利润下滑风险。
近年来，随着美国取消国防预算上限、推行强军政策，并要求其北约与亚洲的军事同盟国增加本国军费以承担各自的防务责任，世界国防支出普遍上涨。在此形势之下，我国根据国防需求和国民经济发展水平，合理确定国防支出规模，2023年安排国防预算支出1.58万亿元，比上年执行数增长7.2%。受此影响，精确制导、雷达探测等领域的需求也在持续提升。在精确制导方面，精确制导武器是当前和未来战争的主要打击力量。现代实战数据表明，精确制导武器已成为高技术战争的主要杀伤工具，并扮演着越来越重要的角色。随着全球军备竞赛、装备及配套武器数量增加以及军改后实战实训消耗增加，精确制导的需求将大大增加，进而为公司T/R组件带来较大的增长空间。在雷达探测方面，有源相控阵雷达是当前雷达的重点发展方向，广泛运用于机载雷达和舰载雷达。
在移动通信领域，随着5G时代的到来，5G建设进度加快，给基站业务增长带来机遇。2G到4G的通信网络覆盖以宏基站为主，单个基站信号覆盖面积广，对建筑物的穿透能力较强。而5G通信网络使用更高的频率，单个基站覆盖面积小，传输损耗和穿透损耗加大，难以通过室内覆盖室外。以C-Band（频率在4-8GHz的高频无线电波波段）为例，相比于4G，C-Band信号每穿透一面混凝土墙壁时会额外产生8~13dB链路损耗，根据中国联通外场测试的数据，C-Band只能进行穿透1层墙体的浅层覆盖，对于室内的深度覆盖远远满足不了5G体验的覆盖要求。2020年2月10日，工信部分别向中国电信（601728）集团有限公司、中国联合网络通信集团有限公司、中国广播电视网络有限公司颁发无线电频率使用许可证，同意三家企业在全国范围共同使用3,300-3,400MHz频段频率用于5G室内覆盖，建立室内基站已成为5G普及的必要条件。因此，相比于4G，5G不仅将以密集组网的方式建立更多的宏基站，而且也将会建立更多的微基站，基站的数量将显著提升。同时，由于MIMO技术的采用，使得一个基站频通道数较4G也成倍的增长，5GMIMO通常为32或64通道，对应传统的4G基站通常为6-8通道，射频通道数增长了几倍。作为基站必不可少的关键组成部分，射频集成电路的需求也势必将迎来爆发。
中国大陆集成电路市场表现强劲，对集成电路需求持续旺盛。2011年到2019年，中国集成电路产业复合增长率为18.6%，增速是全球市场的两倍以上。根据中国半导体行业协会公布的数据，2021年中国集成电路产业销售额首次突破万亿元，达到1.05万亿元，同比增长18.2%。巨大的市场需求使得全球集成电路产业重心正在逐步向中国市场转移。在这一趋势带动下，国际著名芯片制造业厂商英特尔、三星、台积电等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产。与此同时，国内的相关企业也蓬勃发展，随着国内集成电路制造实力大幅提升，下游晶圆加工工艺持续改进，封装测试企业技术水平达到国际领先水平，集成电路生产成本不断降低，为集成电路设计企业提供了充足的产能基础。而随着国内集成电路行业的飞速发展，越来越多具备海外高学历背景和国际知名芯片企业工作背景的高端人才也被吸引至中国，为国内集成电路行业的发展带来了先进的技术支持。随着先进技术和高端人才的不断积累，我国集成电路行业设计研发水平不断提高，逐渐打破外商垄断的局面，在国内外市场上的重要性与日俱增。
虽然国内集成电路产业不断发展，但相比于外资企业长期的积累，国内企业起步较迟，在市场占有率、管理水平、技术储备上仍存在一定的劣势，尤其是在国际市场上的认可度相对较低。在国内市场上，得益于近年来的政策扶持，国内集成电路企业数量不断增加，使得市场竞争进一步加剧。
公司以自主可控的核心技术为基础，立志成为国内领先、国际先进的有源相控阵T/R组件及射频集成电路系列产品生产企业。
在防务领域，公司贯彻创新驱动发展战略，按照“探索一代、预研一代、研制一代、生产一代”的原则，瞄准“国内卓越、世界一流”发展目标，重点围绕国防装备发展瓶颈和信息化快速发展对有源相控阵T/R组件的迫切需求，以市场需求为导向，以量大面广的产品为突破口，以优化性能、降低成本为动力，按照重点突破、平台支撑、体系推进的思路，推动有源相控阵T/R组件设计、制造、测试验证能力体系成系统的发展。
在民品领域，公司立足于国内移动通信市场，依托自身的研发实力和丰富的射频集成电路系列产品行业经验，以基站类射频集成电路为突破口，建设具有国内领先、国际先进水平的射频集成电路全产业链，实现集成电路基础与核心芯片自主可控，推动自主研发生产的射频集成电路产品在以5G以及下一代移动通信基站和通信终端为代表的市场上打破国外垄断、填补国内空白，提升我国射频集成电路产业的整体能力。
为实现公司的战略目标，公司近年来加大产品开发力度。公司持续开发出有源相控阵T/R组件和射频集成电路等一系列产品。公司依托化合物半导体方面的技术积累，开发的多个有源相控阵T/R组件逐步进入定型批产，开发的砷化镓基站射频集成电路及组件产品已经在国内5G基站实现大批量供货，为未来有源相控阵T/R组件与5G射频市场的竞争打下坚实的基础。公司拟通过募集资金投资项目的实施，实现产品种类进一步完善、现有产能进一步提升。
自成立以来，承担了多项国家防务领域重大科研任务，以及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项”、工信部“面向5G通信的射频前端关键器件及芯片”等国家项目，江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”、江苏省科学技术厅“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化项目”等省级项目，国博电子为国家科技水平的进步做出了卓有成效的贡献。上述专项的研发经验让公司的研发实力不断提升突破，使得公司的技术一直保持行业领先地位。
公司坚持“以人为本”的管理理念，重视人才引进和培养，尤其是高级研发人员和管理人才。公司持续引进专业人才的同时，建立了完善的内部人才培养机制，积极探索并建立多样化的绩效评价体系和薪酬激励机制。公司已建立了优秀人力资源管理制度和完善的人才结构，并储备了一批优秀人才。对于人才的重视使得公司建立了稳定高效的研发团队、生产团队、销售团队和管理团队。公司持续研发出新产品，销售收入呈现上升趋势。公司管理层保持稳定，使得各个团队效率不断提高，合作不断加深，公司整体运行效率稳健提升。
公司在注重研发生产实力的同时对市场动向也保持密切关注。公司和重要客户建立了长期稳定的合作关系，建立了完善的客户响应机制和沟通渠道，对于客户的需求第一时间予以解决，公司主要客户包括军工集团下属科研院所和整机单位、国内主流移动通信设施制造商，上述客户均与企业建立了长期稳定的合作关系。此外，公司还注重新客户的拓展，积极参与专业展会，宣传产品的性能和特点，不断提升自身产品在市场上的知名度。
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